Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неарыгінальная аператыўная памяць)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR SDRAM | Апублікавана на 2013-03-13

3

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (неарыгінальная аператыўная памяць)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (неарыгінальная аператыўная памяць)

  • Назва прадукту : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неарыгінальныя дэталі)
  • Частка нумар : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Вытворца : Samsung Electronics (SEC)
  • Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя
  • Build year/week : 2003/33
  • Ёмістасць дадзеных : 512MB
  • Тактавая частата : 400МГц (ПК3200)
  • Асаблівасці : 184шпілька, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Data chip composition : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 чыпсы
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

Каментарыі (3)

Is this ddr 1???

Thank you and good luck.

Напісаць каментар