Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (ПК3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чыпсы […]

Шмат матчыных поплаткаў, падтрымлівае ранні працэсар Pentium, звычайна мелі мікрасхемы памяці кэша сінхранізацыі ў якасці кэша L2 працэсара. Гэта модуль кэша сінхранізацыі(УЗБЕРАГ; Кэш на палачцы) гэта знешні модуль памяці, які выкарыстоўваецца ў якасці дадатковага кэша L2 працэсара. Гэта павялічвае прадукцыйнасць працэсара, калі працэсар чакае інструкцый або дадзеных. Для працы выкарыстоўваецца кэш L2 […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000AJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000BJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. Гэта модулі DRAM SIMM памерам 1 МБ вытворчасці Samsung Electronics. Вытворчая кампанія : Год выпуску Samsung Electronics : 1992 / 1993 Краіна вытворца : Асаблівасці модуля Паўднёвай Карэі : 30шпілька, SIMM, Парытэт Аб'ём аператыўнай памяці […]

Назва прадукту : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Формаў-фактар : DDR3 SO-DIMM Features : 204шпілька, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]