Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год пабудовы : 1994 Краіна вытворца : Нумар дэталі Паўднёвай Карэі : Формаў-фактар ​​HYM532100AM-70 : Тып памяці SIMM : Ёмістасць памяці EDO DRAM : 4MB Тып шыны : Хуткая памяць старонак (FPM) Выпраўленне памылак : Непаритетные шпількі : 72шпілька Прапускная здольнасць : 32біт Затрымка : 70нс (тРАЦ) Напруга […]

Назва прадукту : Samsung SDRAM 32MB PC66 Нумар дэталі : KMM366S403BTN-G0 Вытворца : Samsung Electronics (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 1997/33 Ёмістасць дадзеных : 32МБ Тактавая частата : 66МГц (ПК66) Асаблівасці : 168шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 мікрасхемы VDD : 3.3В

Назва прадукту : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неарыгінальныя дэталі) Частка нумар : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Вытворца : Samsung Electronics (SEC) Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя Будаўніцтва год/тыдзень : 2003/33 Ёмістасць дадзеных : 512МБ Тактавая частата : 400МГц (ПК3200) Асаблівасці : 184шпілька, Небуферызаваны Non-ECC DDR SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 чыпы Data […]

Назва прадукту : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Вытворца : EKmemory Краіна-вытворца : Ёмістасць дадзеных Паўднёвай Карэі : 2GB Тактавая частата : 1333МГц (ПК3-10600) Асаблівасці : 240шпілька, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Склад чыпа дадзеных : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чыпы VDD напружанне : 1.5V Галоўная старонка : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=драм&няма=91

Назва прадукту Памяць Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Вытворца Samsung Electronics (SEC) Краіна вытворца Паўднёвая Карэя Год зборкі/тыдзень 2011/31 Ёмістасць дадзеных 4GB Тактавая частата 1333Mhz (ПК3-10600) Час памяці CL=9, tRCD=9, tRP=9 Асаблівасці 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Біты дадзеных x64 Глыбіня / Разрадная арганізацыя 512М / Унутраны модуль x8 […]