Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кітай)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR3 SDRAM | Апублікавана на 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (ПК3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чыпсы […]

Працягнуць чытанне

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (ПК4800)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR SDRAM | Апублікавана на 2012-10-25

0

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Працягнуць чытанне

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў Арыгінальная DRAM | Апублікавана на 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM задняй панэлі (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000AJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складаецца з двух чыпаў KM44C1000BJ-7 і аднаго чыпа KM44C1000CJ-7. Гэта модулі DRAM SIMM памерам 1 МБ вытворчасці Samsung Electronics. Вытворчая кампанія : Год выпуску Samsung Electronics : 1992 / 1993 Краіна вытворца : Асаблівасці модуля Паўднёвай Карэі : 30шпілька, SIMM, Парытэт Аб'ём аператыўнай памяці […]

Працягнуць чытанне

ELPIDA 2 ГБ DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR3 SDRAM | Апублікавана на 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

Назва прадукту : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Формаў-фактар : DDR3 SO-DIMM Features : 204шпілька, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Працягнуць чытанне

Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў EDO DRAM | Апублікавана на 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Пярэдні бок)

EDO DRAM мае часовую памяць для больш хуткага ўводу/вываду дадзеных. Гэта эфектыўна, калі сістэма не можа атрымаць падтрымку кэш-памяці. Але калі ў сістэме ёсць кэш-памяць, эфект ад EDO DRAM невялікі. Вытворца : Hyundai Electronics Industries Co., ТАА. Год зборкі/тыдзень : 1997/32 Краіна вытворца : Карэя (Паўднёвая Карэя) Частка нумар […]

Працягнуць чытанне