الصانع : شركة إل جي سيميكون, المحدودة. بلد الصنع : كوريا الجنوبية رقم الجزء : ? شكل عامل : مميزات سيم : 72دبوس, ايدو درام, سعة الذاكرة غير المتساوية : 16عرض النطاق الترددي ميغابايت : 32سرعة بت : 60نانوثانية(تراك) الجهد االكهربى : 5تكوين شريحة V : GM71C17400CJ6 × 8 سنة تصنيع الرقاقة/الأسبوع : 1998/27 سعة شريحة واحدة : 4م […]

الصانع : شركة هيونداي للصناعات الإلكترونية, المحدودة. سنة البناء : 1994 بلد الصنع : كوريا الجنوبية رقم الجزء : عامل الشكل HYM532100AM-70 : نوع الذاكرة SIMM : سعة ذاكرة EDO DRAM : 4نوع حافلة ميغابايت : ذاكرة الصفحة السريعة (التيار الوطني الحر) تصحيح الاخطاء : دبابيس غير التكافؤ : 72دبوس عرض النطاق الترددي : 32الكمون قليلا : 70نانوثانية (تراك) الجهد االكهربى […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 بلد الصنع : South Korea Module Features : 30دبوس, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

يحتوي EDO DRAM على مساحة ذاكرة مؤقتة لإدخال/إخراج البيانات بشكل أسرع. يكون فعالاً عندما يتعذر على النظام تلقي دعم ذاكرة التخزين المؤقت. ولكن إذا كان النظام لديه ذاكرة التخزين المؤقت, تأثير EDO DRAM قليل. الصانع : شركة هيونداي للصناعات الإلكترونية, المحدودة. سنة البناء / الأسبوع : 1997/32 بلد الصنع : كوريا (كوريا الجنوبية) رقم القطعة […]